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JFE150DBVR
- 制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET,封装:SOT-23-5
- 技术参数:PROTOTYPE
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JFE150DBVR技术参数详情:
- 型号:JFE150DBVR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:SOT-23-5
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- 描述:PROTOTYPE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):24 mA @ 10 V
- 漏极电流 (Id) - 最大值:50 mA
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1.5 V @ 100 nA
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):24pF @ 5V
- 电阻 - RDS(On):-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
- 供应商器件封装:SOT-23-5
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