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TPS1120DR
  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TPS1120DR
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):15V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):1.17A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.45nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:840mW
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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