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ULN2003LVDR
制造厂商：TI
类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：TRANS 7NPN DARL 8V 0.5A 16SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：ULN2003LVDR制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：TRANS 7NPN DARL 8V 0.5A 16SOIC系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列零件状态：有源晶体管类型：7 NPN 达林顿电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA电压-集射极击穿（最大值）：8V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-电流-集电极截止（最大值）：50μA不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-功率-最大值：-频率-跃迁：-工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购ULN2003LVDR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
